国家/地区 中国（2091） 美国（850） 世界知识产权组织（501） 韩国（387） 日本（305） 欧洲专利局（EPO）（259） 台湾（133） 印度（109） 加拿大（49） 德国（40） 俄罗斯（39） 澳大利亚（30） 新加坡（27） 英国（24） 西班牙（19） 巴西（17） 法国（17） 墨西哥（12） 香港（11） 以色列（8）
IPC部 B（2915）
IPC大类 B82（2915）
IPC小类 B82Y（2803） H01M（1546） C01B（975）
H01L（792） H01G（394） H01B（370）
B82B（199） C01G（196） C23C（170）
B32B（162） B01J（158） H05K（111）
B05D（102） C08K（98） C09K（89）
IPC B82Y030/00（2230） B82Y040/00（1684） H01M004/62（787）
H01M004/36（736） H01M010/0525（675） C01B031/04（361）
H01M004/38（335） C01B031/02（314） H01M004/58（271）
H01M004/583（270） H01B001/04（251） H01M004/587（250）
H01G011/36（225） C01B032/184（223） H01L029/16（187）
发明人 WANG Y（125） ZHANG Y（98） WANG X（88）
LI J（84） LI Y（83） WANG J（76）
LIU Y（66） ZHANG X（64） WANG Z（63）
LI X（62） CHEN Y（61） LIU J（61）
ZHANG L（60） HUANG J（57） WANG H（55）
公开年 2021（373） 2022（359） 2018（318） 2013（229） 2017（224） 2014（221） 2016（210） 2020（208） 2012（182） 2015（181） 2023（148） 2011（106） 2019（94） 2010（35） 2009（19） 2008（3） 2005（2）
申请年 2021（351）  2020（292）  2022（270）  2017（265）  2012（233）  2016（224）  2014（196）  2018（192）  2015（182）  2013（181）  2019（178）  2011（164）  2010（78）  2009（50）  2023（40）  2008（9）  2007（5）  2002（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（91） INT BUSINESS.（52） UNIV ZHEJIAN.（47） UNIV SHAANXI.（37）
UNIV TSINGHU.（36） HON HAI PREC.（32） UNIV CENT SO.（31） HONGFUJIN PR.（26）
NANOTEK INST.（26） UNIV SHANGHA.（24） UNIV SUNGKYU.（23） SEMICONDUCTO.（22）
UNIV GUANGDO.（22） UNIV SOUTH C.（22） TOSHIBA KK（21） JANG B Z（20）
ZHAMU A（20） UNIV SUNGKYU.（19） UNIV TIANJIN（18） UNIV WUHAN T.（18）

Nanofield material composition used to prepare thermal interface which is used in field of LEDs, electronic devices, and heat sinks and heat pipes comprises carbon precursor, charge-conducting particles, polymer base, and additives.

NISTA S V G, MENDES L G, MOSHKALEV S, SAVU R

Preparation of silicon-carbon composite anode material used in battery, involves nanocrystallizing silicon material in vacuum environment or environment obtained by introducing inert gas or solvent, self-assembling, adding carbon source, granulating and sintering spherical precursor.

CHEN M, LAI H, CHANG T, ZHANG Z

Branched nano-wire array composite photoelectric film used for photo cathode protection, has composite heterojunction system cadmium sulfide/reduced graphene oxide quantum dots/titanium dioxide branched nanowire array composite photoelectric film.

HOU B, LU G, SUN M, JIANG X

Anode material useful for lithium manganate lithium battery, comprises lithium manganate/graphene composite material the surface is coated with graphene nanosheets.

WU X, WANG S, YIN Y, ZHANG S, SUN Q

Preparation of nitrogen-doped carbon nano-tube embedded with iron-cobalt oxide coated iron cobalt alloy heterogeneous particles for use as catalyst for zinc-air battery, involves heating nitrogen-doped carbon nano-tube embedded with iron-cobalt alloy particles to calcine, fully reacting, and cooling.

LI T, YAN Z, CAO W, MA Y

Atomic force microscope based graphical method, involves emitting titanium dioxide beam emitted by UV laser beam on probe on same area as ultraviolet laser beam, so that oxidation graphene area is reduced to be graphene, and to form graphene pattern.

WANG M, LIU C, YAO S, PENG X, ZHANG Z

Three-electrode coaxial DBD device with special-shaped structure for reducing graphene oxide, has openings on both sides of special-shaped glass tube along length direction are respectively sealed and connected with sealing and fixing plug.

FANG Z, CUI X, GUO S, ZHU Y, YU W, GUO L, HUANG J

High-throughput laser synthesis method of graphene loaded nanoparticles useful as anode material of the lithium carbon dioxide battery by carrying out in-situ conversion polyimide polymer film or polyethyleneimine polymer film by laser, dropping metal precursor salt solution to substrate and drying.

WANG J, ZHANG J, XIE K, GUO C, HAN X

Spherical nano-graphene silicon high-reserve cathode comprises high-fineness silicon, high-purity and high-fineness graphite powder, neutralizing agent, conductive adhesive, and anti-freezing agent.

YU H, ZHANG X

Preparing full two-dimensional short channel field-effect transistor in large-scale comprises e.g. covering spin-coat photoresist to surface of local dielectric layer, and evaporating metal electrode to form contact electrode on source.

YU D, LOU H, CAO Z, LIAO Z